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MJD128T4

包裝：托盤 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD128T4G

Complementary Darlington Power Transistor

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Features Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?MonolithicConstructionWithBuilt?inBase?EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain?hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?

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Complementary Darlington Power Transistor

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?MonolithicConstructionWithBuilt?inBase?EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?E

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Complementary Darlington Power Transistor

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD128T4G_12

Complementary Darlington Power Transistor

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD128T4G

包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NJVMJD128T4G

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?MonolithicConstructionWithBuilt?inBase?EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?E

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD128T4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    4V @ 80mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    5mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    4MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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更多MJD128T4供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 16:36:00

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