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MJD18002D2T4

POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor

BipolarNPNTransistor HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistorwithIntegratedCollector?EmitterDiodeandBuilt?InEfficientAntisaturationNetwork TheMJD18002D2isastate?of?the?arthighspeed,highgainbipolartransistor(H2BIP).Tightdynamiccharacteristicsandlottolotmini

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD18002D2T4G

POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor

BipolarNPNTransistor HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistorwithIntegratedCollector?EmitterDiodeandBuilt?InEfficientAntisaturationNetwork TheMJD18002D2isastate?of?the?arthighspeed,highgainbipolartransistor(H2BIP).Tightdynamiccharacteristicsandlottolotmini

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD18002D2T4G

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 450V 2A DPAK

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MJD18002D2T4

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
24+
TO-252
36800
詢價
ON
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
ON
21+
TO-252
12588
原裝現(xiàn)貨價格優(yōu)勢
 詢價
NEXPERIA/安世
23+
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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ON/安森美
2022+
DPAK4LEA
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
ON/安森美
23+
TO-252
13000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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23+
2800
正品原裝貨價格低
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ON/安森美
22+
TO-252
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
ON/安森美
22+
TO-252
96629
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ON
24+
TO-252
35400
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
更多MJD18002D2T4供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 15:30:00

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