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MJD243

NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

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Complementary Silicon Plastic Power Transistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK?3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low?power,high?gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector?EmitterSustainingVoltage? VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc ?HighDCCur

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowCollector?EmitterSaturationVoltage,HighCurrent?Gain. Applications Lowpoweraudioamplifier,Lowcurrent,highspeedswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

MJD243

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=0.2A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=0.5A ?ComplementtothePNPMJD253 ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforlowpo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MJD243

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD243

Complementary Silicon Plastic Power Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD243

Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications

ONSEMION Semiconductor

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Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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安森美半導體安森美半導體公司

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Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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安森美半導體安森美半導體公司

MJD243

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：托盤 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 100V 4A DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產品屬性

  • 產品編號：

    MJD243

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 200mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    40MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 4A DPAK

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MJD243供應商 更新時間2025-2-2 17:06:00

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