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MJD253-252中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJD253-252
廠商型號

MJD253-252

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

279.27 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-1 19:24:00

MJD253-252規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -100V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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