MJD253分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MJD253 |
參數(shù)屬性 | MJD253 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 4A IPAK |
功能描述 | Silicon PNP Power Transistor |
封裝外殼 | TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA |
文件大小 |
298.31 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-22 16:39:00 |
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MJD253規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= -100V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A
APPLICATIONS
· Designed for low power audio amplifier and low-current,
high-speed switching applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MJD253-1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
600mV @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 200mA,1V
- 頻率 - 躍遷:
40MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
I-PAK
- 描述:
TRANS PNP 100V 4A IPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
NA |
275000 |
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