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MJD253分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD253
廠商型號(hào)

MJD253
參數(shù)屬性

MJD253 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 100V 4A IPAK
功能描述

Silicon PNP Power Transistor
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

279.27 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無(wú)錫固電】

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-24 15:08:00
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MJD253規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -100V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD253-1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 200mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    40MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 4A IPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
ON
23+
DPAK-3
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
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ON/安森美
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25630
原裝正品
 詢價(jià)
ON/安森美
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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