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MJD32CQ中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJD32CQ
廠商型號

MJD32CQ
參數(shù)屬性

MJD32CQ 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 100V 3A TO252-3
功能描述

100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252
文件大小

315.53 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-11-7 9:26:00

MJD32CQ規(guī)格書詳情

Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

Features

? BVCEO > -100V

? IC = -3A high Continuous Collector Current

? ICM = -5A Peak Pulse Current

? Ideal for Power Switching or Amplification Applications

? Complementary NPN Type: MJD31CQ

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

? PPAP Capable (Note 4)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD32CQ-13

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.2V @ 375mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 3A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    TO-252-3

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 3A TO252-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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