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MJD41C-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=6A ·ComplementtoTypeMJD42C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSH41C-252

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=6A APPLICATIONS ·Generalpurposeamplifier ·Lowspeedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
長電
2020+
TO-251
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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公司只做原裝正品
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TO-251-252
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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更多MJD41C-252供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 13:57:00