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MJD42C-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.5V(Max)@IC=-6A ·ComplementtoTypeMJD41C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSH42C-252

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.5V(Max)@IC=-6A APPLICATIONS ·Generalpurposeamplifier ·Lowspeedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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ON Semiconductor
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
詢價(jià)
更多MJD42C-252供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 11:09:00