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MJD42C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MJD42C
廠商型號(hào)

MJD42C
參數(shù)屬性

MJD42C 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 100V 6A DPAK
功能描述

Silicon PNP Power Transistor
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

297.24 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無(wú)錫固電】

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MJD42C

  • 別名：

    MJD42C三極管、MJD42C晶體管、MJD42C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

  • wtest：

    20

MJD42C規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -100V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= -1.5V(Max) @IC= -6A

·Complement to Type MJD41C

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD42C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 600mA，6A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 3A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 6A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ原裝長(zhǎng)電
TO-252/220
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