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MJD44H11T4分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD44H11T4
廠商型號

MJD44H11T4

參數(shù)屬性

MJD44H11T4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK

功能描述

Complementary Power Transistors
TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

76.24 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-6 10:25:00

MJD44H11T4規(guī)格書詳情

MJD44H11T4屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJD44H11T4晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MJD44H11T4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 2A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    85MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK

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