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MJD45H11-252

isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-1.0V(Max)@IC=-8A ·FastSwitchingSpeeds ·ComplementtoTypeMJD44H11 ·DPAKforSurfaceMountApplications APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplificationand switchingsuchasoutputordriverstagesinap

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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