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MJD5731T4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) PULSECORE/安森美

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  • 廠家型號(hào)：

    MJD5731T4G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-8 16:34:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：MJD5731T4G品牌：ON

代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 芯片型號(hào)：

    MJD5731T4G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大?。?/span>

    133.84 kb

  • 資料說明：

    High Voltage PNP Silicon Power Transistors

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD5731T4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 200mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 300mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    10MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP 350V 1A DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市拓億芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    13510175077

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82777855/0755-82702619

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興西路華康大廈2棟603室

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