MJE1103中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
MJE1103 |
功能描述 | PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
文件大小 |
143.77 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-8 20:00:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
MJE1103三極管、MJE1103晶體管、MJE1103晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-N+Darl
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
80V
- 最大電流允許值:
5A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
BD647,BD699,BD899,BDW23B,BDW63B,FH7C,
- 最大耗散功率:
70W
- 放大倍數(shù):
β>750
- 圖片代號(hào):
B-21
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
70
MJE1103規(guī)格書詳情
PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
Designed for use in driver and output stages in complementary audio amplifier applications.
? High DC Current Gain -
hFE = 750 (Win) @ IC = 30 and 40 Adc
? True Three Lead Monolithic Construction —Emitter-Base Resistors
to Prevent Leakage Multiplication are Built in.
? Available in Two Packages - Case 90 or Case 199
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
MJE1103
- 制造商:
FRESCL
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
60 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
ON |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
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詢價(jià) | ||
ST |
TO-220 |
36900 |
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2010+ |
TO-92 |
6000 |
絕對(duì)原裝自己現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
22+ |
TO126 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | |||
ON |
TO-220 |
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原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
CHINA |
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詢價(jià) | ||
ST |
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詢價(jià) |