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MJE13007A中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJE13007A
廠商型號

MJE13007A

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

298.55 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-4 16:42:00

MJE13007A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector–Emitter Sustaining Voltage

: VCEO(SUS) = 400V(Min.)

·Collector Saturation Voltage

: VCE(sat) = 2.0(Max) @ IC= 5.0A

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use in high-voltage, high-speed.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MJE13007A

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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