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MJE13009G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE13009G
廠商型號

MJE13009G
參數(shù)屬性

MJE13009G 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 400V 12A TO220
功能描述

12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS ??100 WATTS
TRANS NPN 400V 12A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

148.43 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-12 15:54:00

MJE13009G規(guī)格書詳情

MJE13009G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJE13009G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MJE13009G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 3A，12A

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    8 @ 5A，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    4MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 400V 12A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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