MJE15033G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MJE15033G |
參數(shù)屬性 | MJE15033G 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 250V 8A TO220 |
功能描述 | Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
76.18 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-18 23:00:00 |
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MJE15033G規(guī)格書詳情
MJE15033G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJE15033G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。
產品屬性
更多- 產品編號:
MJE15033G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10μA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 2A,5V
- 頻率 - 躍遷:
30MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRANS PNP 250V 8A TO220
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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