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MJE200分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJE200
廠商型號(hào)

MJE200

參數(shù)屬性

MJE200 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 25V 5A TO126-3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

242.53 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-24 14:47:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MJE200

  • 別名:

    MJE200三極管、MJE200晶體管、MJE200晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    25V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD185,BD195,3DA99B,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-21

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    15

MJE200規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Collector–Emitter Saturation Voltage-

? DC Current Gain-Bandwidth Product

? High DC Current Gain

? Complement to MJE210

APPLICATIONS

? Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJE200STU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.8V @ 1A,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    65MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 5A TO126-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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