MJE200分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MJE200 |
參數(shù)屬性 | MJE200 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 25V 5A TO126-3 |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
339.37 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡稱 |
Central |
中文名稱 | 美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-24 23:00:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
MJE200三極管、MJE200晶體管、MJE200晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
25V
- 最大電流允許值:
5A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BD185,BD195,3DA99B,
- 最大耗散功率:
15W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
B-21
- vtest:
25
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
15
MJE200規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE200, MJE210 types are complementary silicon transistors designed for high gain amplifier applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MJE200STU
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.8V @ 1A,5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
45 @ 2A,1V
- 頻率 - 躍遷:
65MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-126-3
- 描述:
TRANS NPN 25V 5A TO126-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
7350 |
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