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MJE200G

Complementary Silicon Power Plastic Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE200G

Package:TO-225AA,TO-126-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 40V 5A TO126

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE200STU

Package:TO-225AA,TO-126-3;包裝:散裝 類別:分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 25V 5A TO126-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE200TSTU

Package:TO-225AA,TO-126-3;包裝:散裝 類別:分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 25V 5A TO126-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

晶體管資料

  • 型號:

    MJE200

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    25V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BD185,BD195,3DA99B,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    15

詳細參數

  • 型號:

    MJE200

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TO126
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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