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MJE243 | 4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 15 WATTS ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors ...designedforlowpoweraudioamplifierandlow–current,high–speedswitchingapplications. ?HighCollector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=100Vdc(Min)—MJE243,MJE253 ?HighDCCurrentGain@IC=200mAdc | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | |
MJE243 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Thesedevicesaredesignedforlowpoweraudioamplifierandlow?current,high?speedswitchingapplications. Features ?HighCollector?EmitterSustainingVoltage? VCEO(sus)=100Vdc(Min) ?HighDCCurrentGain@IC=200mAdc hFE=40?200 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
MJE243 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION Thecentralsemiconductormje240,mje250seriestypesarecomplementarysiliconpowertransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
MJE243 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=0.2A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=0.5A ?ComplementtoTypeMJE253 APPLICATIONS ?Designedforlowpoweraudioampli | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
MJE243 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS JEDECTO-126CASE MJE240,MJE250seriestypesarecomplementarysiliconpowertransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
MJE243 | Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features HighVCEO，LargeDCcurrent,highfT,lowVCE(sat). Applications Lowpoweraudioamplifier,highspeedswitchingapplications. | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司 | FOSHAN | |
MJE243 | NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR ComplementaryMJE253 DesignedforLowPowerAudioAmplifierandLow-Current,High-SpeedSwitchingApplications | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | |
MJE243 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
MJE243 | Complementary Silicon Power Plastic Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
MJE243 | Complementary Silicon Power Plastic Transistors 100 VOLTS, 15 WATTS | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD243D,BD591,BD601,3DA99C,
- 最大耗散功率：
15W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-21
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
15
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
MJE243
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W NPN
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTO |
24+ |
三極管 |
5000 |
公司存貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
2020+ |
TO-126 |
4500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢(xún)價(jià) | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢(xún)價(jià) | ||
MOT |
1815+ |
TO126 |
6528 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-126 |
8650 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)! |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
2020+ |
TO-126 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO-126 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
23+ |
TO-225AATO-126 |
24190 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
22+ |
TO126 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢(xún)價(jià) | |||
ON/安森美 |
2021+ |
SMD |
100500 |
一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢(xún)價(jià) |
