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MJE253分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE253
廠商型號

MJE253

參數(shù)屬性

MJE253 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 4A TO126

功能描述

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
TRANS PNP 100V 4A TO126

文件大小

235.36 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    MJE253

  • 別名:

    MJE253三極管、MJE253晶體管、MJE253晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD244C,BD592,BD602,3CA8D,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    15

MJE253規(guī)格書詳情

MJE253屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJE253晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

These devices are designed for low power audio amplifier and low?current, high?speed switching applications.

Features

? High Collector?Emitter Sustaining Voltage ?

VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)

? High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc

hFE = 40?200

= 40?120

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc

? High Current Gain Bandwidth Product ?

fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

? Annular Construction for Low Leakages

ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MJE253G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    40MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 4A TO126

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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