MJE271G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
MJE271G
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
生產廠商：
ON
庫存數(shù)量：
17591
產品封裝：
TO-225
生產批號：
22+23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-3 16:01:00

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原廠料號：MJE271G品牌：ON

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MJE271G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON/onsemi生產封裝TO-225/TO-225AA，TO-126-3的MJE271G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
MJE271G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
3 頁
文件大?。?/span>
89.85 kb
資料說明：
Complementary Silicon Power Transistors

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MJE271G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
托盤
晶體管類型：
PNP - 達林頓
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 1.2mA，120mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1500 @ 120mA，10V
頻率 - 躍遷：
6MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
供應商器件封裝：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 100V 2A TO126

供應商

企業(yè)：
深圳市華斯頓科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
朱先生-余先生-夏小姐-張小姐
手機：
13925279453
詢價：
電話：
0755-83777708/83777607/82799993
傳真：
0755-83355559
地址：
深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強北深紡大廈C座西7樓/市場部:華強北新亞洲電子市場3B047展銷柜

MJE271G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

MJE271G

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