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MJE2801中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJE2801
廠商型號

MJE2801

功能描述

HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTOR

文件大小

84.17 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-15 19:41:00

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晶體管資料

  • 型號:

    MJE2801

  • 別名:

    MJE2801三極管、MJE2801晶體管、MJE2801晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD207,BD213/60,BD607,3DD166B,

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    90

MJE2801規(guī)格書詳情

HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MJE2801

  • 制造商:

    MOSPEC

  • 制造商全稱:

    Mospec Semiconductor

  • 功能描述:

    POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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