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MJE2955T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE2955T
廠商型號

MJE2955T

參數(shù)屬性

MJE2955T 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 10A TO220

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

85.06 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-25 10:28:00

MJE2955T規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

...designed for usein general-purpose amplifier and switching applications

FEATURES:

* Power Dissipation - PD = 75 W ? Tc = 25°C

* DC Current Gain hFE = 20- 100 ? lc = 4.0 A

* vCE(isrt) = 1-1 V (Max.) ? lc = 4.0 A, IB= 400 mA

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJE2955T

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 10A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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