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MJE3055

10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 75 WATTS

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingapplications. ?DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes ?HighCurrentGain—BandwidthProduct— fT=2.0MHz(Min)@IC=500mAdc

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJE3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJE3055Tisasiliconepitaxial-baseNPNtransistorinJedecTO-220package.Itisintendedforpowerswitchingcircuitsandgeneral-purposeamplifiers.ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955T. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJE3055

NPN (GENERAL PURPOSE AND SWITCHING APPLICATIONS)

GENERALPUPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS DCCURRENTGAINSPECIFIEDTO10AMPERES HighCurrentGain-BandwidthProduct(fT=25°C)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MJE3055

SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose

WINGSWing Shing Computer Components

永盛電子永盛電子(香港)有限公司

MJE3055

General Purpose and Switching Applications

GeneralPurposeandSwitchingApplications ?DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A ?HighCurrentGain-BandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJE3055

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:10A Collector-basevoltage V(BR)CBO:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

MJE3055

Plastic-Encapsulate Power Transistors

Plastic-EncapsulatePowerTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

MJE3055

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·HighDCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=4A ·ComplementtoTypeMJE2955 APPLICATIONS ·Designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJE3055

NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Capableof2.0WattsofPowerDissipation. ?Collector-current10A ?Collector-baseVoltage70V ?Operatingandst

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MJE3055

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeandSwitchingApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MJE3055

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    70V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD207,BD213/80,BD607,3DD166B,

  • 最大耗散功率：

    90W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-21

  • vtest：

    70

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    90

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MJE3055

  • 制造商：

    TRSYS

  • 制造商全稱：

    Transys Electronics

  • 功能描述：

    Plastic-Encapsulated Transistors

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CJ
17+
TO-220
6050
全新原裝正品s
 詢價(jià)
FSC
23+
TO-220
4940
原廠原裝正品
 詢價(jià)
ON
2024+
TO-220-3
32560
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨
 詢價(jià)
24+
5000
公司存貨
 詢價(jià)
ST
01+
TO220
2500
原裝現(xiàn)貨價(jià)格有優(yōu)勢(shì)量大可以發(fā)貨
 詢價(jià)
原廠
23+
TO-220
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
ST
2018+
TO220
6528
只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫(kù)存放心
 詢價(jià)
ST
17+
DIP
9888
全新進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存
 詢價(jià)
TI
23+
SOT23
2000
全新原裝假一賠十
 詢價(jià)
更多MJE3055供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 10:18:00

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