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MJE3055T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE3055T
廠商型號

MJE3055T
參數(shù)屬性

MJE3055T 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 60V 10A TO220
功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS NPN 60V 10A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

61.49 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-2 23:00:00

MJE3055T規(guī)格書詳情

MJE3055T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的MJE3055T晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

■ STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPES

■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES

DESCRIPTION

The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN

transistor in Jedec TO-220 package. It is

intended for power switching circuits and

general-purpose amplifiers. The complementary

PNP type is MJE2955T.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MJE3055T

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    8V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 10A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法半導(dǎo)體)
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