MJE521G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號(hào) |
MJE521G |
| 參數(shù)屬性 | MJE521G 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 40V 4A TO126 |
| 功能描述 | Plastic Medium??ower NPN Silicon Transistor |
| 封裝外殼 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
67.68 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-5 17:14:00 |
MJE521G規(guī)格書詳情
MJE521G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJE521G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
These devices are designed for use in general?purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry.
Features
? DC Current Gain ? hFE = 40 (Min) @ IC
= 1.0 Adc
? Complementary to PNP MJE371
? Pb?Free Package is Available*
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
MJE521G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
NPN
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1A，1V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 40V 4A TO126
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
6528 |
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詢價(jià) | |||
ON |
TO-126 |
699839 |
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ON/安森美 |
24+ |
T0-126 |
505348 |
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NA |
19960 |
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23+ |
TO-225AATO-126 |
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TO-126 |
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ON |
24+ |
TO-225 |
8866 |
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MOTOROLA/摩托羅拉 |
22+ |
TO-225AATO-126 |
18000 |
原裝正品 |
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ON |
24+ |
TO-126 |
32350 |
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ON Semiconductor |
2022+ |
TO-225AA |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
