MJE702分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MJE702 |
| 參數(shù)屬性 | MJE702 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3 |
| 功能描述 | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
| 封裝外殼 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
51.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-31 17:08:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
MJE702三極管、MJE702晶體管、MJE702晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
>1MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD262A,BD680,BD780,FC50B,2N6036,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號：
B-21
- vtest：
80
- htest：
1000100
- atest：
4
- wtest：
40
MJE702規(guī)格書詳情
Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
? High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= -1.5 and -2.0A DC
? Complement to MJE800/801/802/803
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MJE702STU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
PNP - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應商器件封裝：
TO-126-3
- 描述：
TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON進口原裝 |
TO-126 |
90000 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
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ON進口原裝 |
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