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MJL21195分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJL21195
廠商型號

MJL21195

參數(shù)屬性

MJL21195 封裝/外殼為TO-264-3,TO-264AA;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 250V 16A TO264

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS PNP 250V 16A TO264

封裝外殼

TO-264-3,TO-264AA

文件大小

135.85 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-2 17:08:00

MJL21195規(guī)格書詳情

MJL21195屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJL21195晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

The MJL21195 and MJL21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

?Total Harmonic Distortion Characterized

?High DC Current Gain ?hFE= 25 Min @ IC= 8 Adc

?Excellent Gain Linearity

?High SOA: 2.50 A, 80 V, 1 Second

?Epoxy Meets UL 94, V?0 @ 0.125 in

?ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V

Machine Model, C 400 V

?Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MJL21195

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 3.2A,16A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 8A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-264

  • 描述:

    TRANS PNP 250V 16A TO264

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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