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MJW1302AG	文件：199.48 Kbytes Page：7 Pages	Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors TheMJW3281AandMJW1302AarePowerBasepowertransistors forhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinear applications. Features ?Designedfor100WAudioFrequency ?GainComplementary: GainLinearityfrom100mAto7A hFE=45(Min)@IC=8A ?LowHarmonicDistortion ?	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJW1302AG	文件：74.49 Kbytes Page：6 Pages	15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 230 VOLTS 200 WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJW1302AG	文件：160.51 Kbytes Page：6 Pages	Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJW1302AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 230V 15A TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MM1302A	文件：190.29 Kbytes Page：7 Pages	ProtectionofLithiumIonBatteries(twocellsinseries) Outline ThisICisforprotectingalithiumionbatteryfromovercharging,excessdischarging,andovercurrent.Ifabnormalitiesoccurduringchargingandexcessvoltageisapplied,ithasafunctionthatturnsofftheexternalFETswitchwhenvoltageisappliedtoeachbatterybeyondaspecifi	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美電機株式會社	MITSUMI
MM1302E	文件：190.29 Kbytes Page：7 Pages	ProtectionofLithiumIonBatteries(twocellsinseries) Outline ThisICisforprotectingalithiumionbatteryfromovercharging,excessdischarging,andovercurrent.Ifabnormalitiesoccurduringchargingandexcessvoltageisapplied,ithasafunctionthatturnsofftheexternalFETswitchwhenvoltageisappliedtoeachbatterybeyondaspecifi	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美電機株式會社	MITSUMI
MM1302F	文件：190.29 Kbytes Page：7 Pages	ProtectionofLithiumIonBatteries(twocellsinseries) Outline ThisICisforprotectingalithiumionbatteryfromovercharging,excessdischarging,andovercurrent.Ifabnormalitiesoccurduringchargingandexcessvoltageisapplied,ithasafunctionthatturnsofftheexternalFETswitchwhenvoltageisappliedtoeachbatterybeyondaspecifi	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美電機株式會社	MITSUMI
MM1302G	文件：190.29 Kbytes Page：7 Pages	ProtectionofLithiumIonBatteries(twocellsinseries) Outline ThisICisforprotectingalithiumionbatteryfromovercharging,excessdischarging,andovercurrent.Ifabnormalitiesoccurduringchargingandexcessvoltageisapplied,ithasafunctionthatturnsofftheexternalFETswitchwhenvoltageisappliedtoeachbatterybeyondaspecifi	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美電機株式會社	MITSUMI
MT1302A	文件：200.03 Kbytes Page：1 Pages	AxialLeadedLEDLamps FEATURES ?Allplasticmoldtype ?Willfitinsmallspace ?Lowcurrentoperation	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MT1302A-RG	文件：200.03 Kbytes Page：1 Pages	AxialLeadedLEDLamps FEATURES ?Allplasticmoldtype ?Willfitinsmallspace ?Lowcurrentoperation	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MT1302A-RG	文件：41.86 Kbytes Page：1 Pages	MarktechAxialLeadedLensedVersionLEDs FEATURES ?Allplasticmoldtype ?Willfitinsmallspace ?Lowcurrentoperation	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MTD1302	文件：205.4 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES30VOLTS HDTMOSE-FETHighDensityPowerFETdpakforSurfaceMount N-ChannelEnhancementModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP1302	文件：166.7 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES30VOLTSRDS(on)=22mohm ThisadvancedhighcelldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplie	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP1302	文件：265.97 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NH1302A	文件：221.68 Kbytes Page：6 Pages	15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS200VOLTS250WATTS ComplementaryNPN-PNPSiliconPowerBipolarTransistor TheMJ3281AandMJ1302AarePowerBasepowertransistorsforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. ?Designedfor100WAudioFrequency ?GainComplementary: —GainLinearityfrom100mAto7A —Hi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NJG1302V	文件：452.7 Kbytes Page：8 Pages	MEDIUMPOWERAMPLIFIERGaAsMMIC	NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會社	NJRC
NJL1302D	文件：103.24 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryThermalTrakTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NJL1302D	文件：75.83 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryThermalTrakTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NJL1302DG	文件：75.83 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryThermalTrakTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NJW1302G	文件：89.46 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryNPN-PNPSiliconPowerBipolarTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MJW1302AG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 1A，10A
電流 - 集電極截止（最大值）：
50μA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 7A，5V
頻率 - 躍遷：
30MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
描述：
TRANS PNP 230V 15A TO247-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJW1302AG	onsemi(安森美)	23+	TO-247	928	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MJW1302AG	onsemi	24+	TO-247-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJW1302AG	ON	24+	TO-247	8866		詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MJW1302AG	ON	2018+	TO-247	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	MJW1302AG	ON	22+23+	TO-247	75224	絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
深圳市納立科技有限公司	MJW1302AG		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
深圳市拓億芯電子有限公司	MJW1302AG	ON/安森美	23+	TO-247	30000	代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	MJW1302AG	ON Semiconductor	2010+	N/A	261	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	MJW1302AG	ON(安森美)	2112+	TO-247	105000	30個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期	詢價
深圳市百域芯科技有限公司	MJW1302AG	ON/安森美	21+	SMD	30000	百域芯優(yōu)勢實單必成可開13點增值稅	詢價

更多MJW1302AG供應(yīng)商更新時間2025-1-11 8:12:00

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