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MJW16212中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MJW16212
廠商型號(hào)

MJW16212

功能描述

POWER TRANSISTOR

文件大小

260.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-9 20:00:00

MJW16212規(guī)格書詳情

SCANSWITCH?

NPN Bipolar Power Deflection Transistor

For High and Very High Resolution Monitors

The MJW16212 is a state–of–the–art SWITCHMODE? bipolar power transistor. It is specifically designed for use in horizontal deflection circuits for 20 mm diameter neck, high and very high resolution, full page, monochrome monitors.

? 1500 Volt Collector–Emitter Breakdown Capability

? Typical Dynamic Desaturation Specified (New Turn–Off Characteristic)

? Application Specific State–of–the–Art Die Design

? Fast Switching:

200 ns Inductive Fall Time (Typ)

2000 ns Inductive Storage Time (Typ)

? Low Saturation Voltage:

0.15 Volts at 5.5 Amps Collector Current and 2.5 A Base Drive

? Low Collector–Emitter Leakage Current — 250 μA Max at 1500 Volts — VCES

? High Emitter–Base Breakdown Capability For High Voltage Off Drive Circuits —

8.0 Volts (Min)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MJW16212

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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