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MK5811S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）類別：集成電路（IC）時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器描述：IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
MK5811SLF	文件：248.47 Kbytes Page：8 Pages	Marking:5811SL;Package:SOIC;LOW EMI CLOCK GENERATOR Features ?Packagedin8-pinSOIC ?Pb(lead)freepackage ?Providesaspreadspectrumoutputclock ?Supportsflatpanelcontrollers ?Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) ?Inputfrequencyrangeof4to32MHz ?Outputfrequencyrangeof4to32MHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
MK5811SLFTR	文件：248.47 Kbytes Page：8 Pages	Marking:5811SL;Package:SOIC;LOW EMI CLOCK GENERATOR Features ?Packagedin8-pinSOIC ?Pb(lead)freepackage ?Providesaspreadspectrumoutputclock ?Supportsflatpanelcontrollers ?Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) ?Inputfrequencyrangeof4to32MHz ?Outputfrequencyrangeof4to32MHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
MK5811SLFTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）類別：集成電路（IC）時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器描述：IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
MK5811STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）類別：集成電路（IC）時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器描述：IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
NTE5811	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4 Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5811	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4 Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5811	文件：24.01 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
NTTFS5811NL	文件：258.39 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTTFS5811NLTAG	文件：258.39 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTTFS5811NLTWG	文件：258.39 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NL	文件：118.55 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NL	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLTAG	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLTAG	文件：118.55 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLTWG	文件：118.55 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLTWG	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLWFTAG	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLWFTWG	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SDR5811CT	文件：318.1 Kbytes Page：2 Pages	12AMPS50-300VOLTS35nsecHYPERFASTCENTERTAPRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MK5811S
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器
包裝：
管件
類型：
時(shí)鐘發(fā)生器
PLL：
是
輸入：
時(shí)鐘，晶體
輸出：
LVCMOS
比率 - 輸入：
1：1
差分 - 輸入：
無/無
頻率 - 最大值：
32MHz
分頻器/倍頻器：
無/是
電壓 - 供電：
3V ~ 3.63V
工作溫度：
0°C ~ 85°C
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
描述：
IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市卓越微芯電子有限公司	MK5811S	ICS	2020+	SOP8	97	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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深圳市賽爾通科技有限公司	MK5811S	INTEGRATEDCI	23+		65480		詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	MK5811S	IDT, Integrated Device Technol	24+	8-SOIC	56200	一級代理/放心采購	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	MK5811S	IDT	20+	SOP-8	1001	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MK5811S	IDT	22+	8SOIC	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
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深圳市吉銘電子科技有限公司	MK5811S	IDT	21+	8SOIC	610880	本公司只售原裝支持實(shí)單	詢價(jià)
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深圳市力拓輝電子有限公司	MK5811S	ICS	22+	SOP-8	5000	只做原裝,假一賠十 15118075546	詢價(jià)

更多MK5811S供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 8:22:00

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