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MKP385E58263JPM4T0_電容器 薄膜電容器汽車(chē)級(jí)；高頻，開(kāi)關(guān)；高脈沖，DV/DT；吸收電路-TS

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原廠料號(hào)：MKP385E58263JPM4T0品牌：Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

資料說(shuō)明：CAP FILM 8.2UF 5% 630VDC RAD

MKP385E58263JPM4T0是電容器 > 薄膜電容器。制造商TS/T&S Brass. All Rights Reserved.生產(chǎn)封裝徑向 - 4 引線的MKP385E58263JPM4T0薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲(chǔ)電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF，電壓為 2.5 V 至 100 V，封裝尺寸為 0201 至 1210，容差為 ±0.01 pF 至 ±5％。

  • 芯片型號(hào)：

    mkp385e58263jpm4t0

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TS詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    T&S Brass. All Rights Reserved.

  • 資料說(shuō)明：

    CAP FILM 8.2UF 5% 630VDC RAD

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MKP385E58263JPM4T0

  • 制造商：

    Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

  • 類(lèi)別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列：

    MKP385e

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 容差：

    ±5%

  • 額定電壓 - AC：

    220V

  • 額定電壓 - DC：

    630V

  • 介電材料：

    聚丙烯（PP），金屬化

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向 - 4 引線

  • 端接：

    PC 引腳

  • 引線間距：

    1.476"（37.50mm）

  • 應(yīng)用：

    汽車(chē)級(jí)；高頻，開(kāi)關(guān)；高脈沖，DV/DT；吸收電路

  • 等級(jí)：

    AEC-Q200

  • 特性：

    高溫

  • 描述：

    CAP FILM 8.2UF 5% 630VDC RAD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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