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FDMS86101

N-ChannelPowerTrench?MOSFET100V,49A,8m?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDMS86101

類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：100V連續(xù)漏極電流(Id)：12.4A功率(Pd)：2.5W導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13AN溝道，PowerTrenchMOSFET，100V，60A，8mΩ此N溝道MOSFET是使用先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)的，特別適用于最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時保持卓越的

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

PDF上傳者：深圳市亞泰盈科電子有限公司

FDMS86101

N-ChannelPowerTrench?MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDMS86101A

N-ChannelPowerTrench?MOSFET100V,60A,8m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDMS86101DC

DUALCOOL??PACKAGEPOWERTRENCH?MOSFETs

DualCool?packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformance?exibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDMS86101DC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·PrimaryDC-DCMOSFET ·SecondarySynchronousRectifier ·LoadSwitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDMS86101DC

N-ChannelDualCoolTMPowerTrench?MOSFET100V,60A,7.5m廓

DualCool?packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformance?exibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MA86101BAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA86101BBN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA86101CAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

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更多ML86101供應(yīng)商 更新時間2025-3-9 15:00:00

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