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MLD1N06CLT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-特殊用途規(guī)格書PDF中文資料

MLD1N06CLT4G
廠商型號

MLD1N06CLT4G
參數(shù)屬性

MLD1N06CLT4G 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-特殊用途；MLD1N06CLT4G應(yīng)用范圍：通用；產(chǎn)品描述：IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK
功能描述

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

1.00439 Mbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】

中文名稱

微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-24 20:00:00
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MLD1N06CLT4G規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Power MOSFET

? 100 Rg and UIS Tested

? Material categorization:

For definitions of compliance please see

APPLICATIONS

? DC/DC Converters

? DC/AC Inverters

? Motor Drives

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MLD1N06CLT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 特殊用途

  • 系列：

    SMARTDISCRETES?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN，N 通道柵極至漏極，匯極鉗位

  • 應(yīng)用：

    通用

  • 電壓 - 額定：

    65V

  • 額定電流（安培）：

    1A

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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