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MLM-170R	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	Visible LED Conventional Brightness-GaP, GaAsP and AlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MLM-170SD	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
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MMBF170	文件：75.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanb	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBF170	文件：62.76 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBF170	文件：517.87 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBF170	文件：140.38 Kbytes Page：2 Pages	0.5A,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMBF170isanN-channelenhancementMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),lowinputcapacitance,lowgatethresholdvoltageandhighswitchingspeed. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMBF170	文件：873.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●Surface-mountedpackage ●Advancedtrenchcelldesign ●Extremelylowthresholdvoltage ●ESDprotected(HBM>2KV) Quickreference ●BV≧60V ●Ptot≦0.83W ●ID≦0.5A ●RDS(ON)≦3Ω@VGS=10V ●RDS(ON)≦4Ω@VGS=4.5V	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
MMBF170L	文件：131.12 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET 500mA,60V,N?ChannelSOT?23 Features ?NVBFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBF170Q	文件：213.39 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMF170A	文件：825.258 Kbytes Page：3 Pages	200W170VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
MMF170A	文件：811.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
MMF170A	文件：497.58 Kbytes Page：5 Pages	Lowprofilepackage	SEMITECHShanghai Semitech Semiconductor Co., Ltd 海晨啟半導(dǎo)體上海晨啟半導(dǎo)體有限公司	SEMITECH
MMF170A	文件：244.4 Kbytes Page：4 Pages	5.0to190Volts200WattsSMDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
MMF170CA	文件：825.258 Kbytes Page：3 Pages	200W170VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
MLM-170R
制造商：
MICRO-ELECTRONICS
制造商全稱：
Micro Electronics
功能描述：
Visible LED Conventional Brightness-GaP, GaAsP and AlGaAs

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更多MLM-170R供應(yīng)商更新時間2024-12-21 10:08:00

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