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MM118-06L中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MM118-06L
廠商型號

MM118-06L

功能描述

3 PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

文件大小

116.5 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 19:11:00

MM118-06L規(guī)格書詳情

Features

● Available in Low Conduction Loss Class as MM118-xxL or Fast Switching Class as MM118-xxF

● Compact and rugged construction offering weight and space savings

● Available with PC board solderable pins (see mechanical outline below) or threaded terminals (add “T”suffix to part number, see option below)

● HPM (Hermetic Power Module)

● Isolation voltage capability (in reference to the base) in excess of 3kV · Very low thermal resistance

● Thermally matched construction provides excellent temperature and power cycling capability

● Additional voltage ratings or terminations available upon request

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MM118-06L

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    3 PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

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