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MM74C910N

256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

TI1Texas Instruments

德州儀器

MM74C910N

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：18-DIP（0.300"，7.62mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC RAM 256B PARALLEL 18DIP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MM74C910

256-BitTRI-STATERandomAccessRead/WriteMemory

TI1Texas Instruments

德州儀器

MM74C910J

256-BitTRI-STATERandomAccessRead/WriteMemory

TI1Texas Instruments

德州儀器

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MM74C910N

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    RAM

  • 技術(shù)：

    RAM

  • 存儲容量：

    256b（64 x 4）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    18-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    18-PDIP

  • 描述：

    IC RAM 256B PARALLEL 18DIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MM74C910N供應(yīng)商 更新時間2025-1-2 16:00:00

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