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MMBA812M6中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MMBA812M6
廠商型號

MMBA812M6

功能描述

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor)

文件大小

25.89 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    MMBA812M6

  • 別名:

    MMBA812M6三極管、MMBA812M6晶體管、MMBA812M6晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_通用 (G)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

    2SA812M6,3CG120C,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

MMBA812M6規(guī)格書詳情

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

General Purpose Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MMBA812M6

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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