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MMBD352WT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

MMBD352WT1G參考圖片

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原廠料號：MMBD352WT1G品牌：ON

16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量

MMBD352WT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝SC-70，SOT-323的MMBD352WT1G二極管 - 射頻射頻二極管是一種雙端子半導(dǎo)體器件，只允許一個方向通過電流，而限制反方向的電流。該系列器件用于射頻匹配電路以進(jìn)行電子調(diào)諧。二極管類型包括 PIN 型、肖特基型和標(biāo)準(zhǔn)型，反向電壓范圍為 1 至 15,000 V，電流范圍為 10 mA 至 20A。

  • 芯片型號：

    MMBD352WT1G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    3 頁

  • 文件大?。?/span>

    127.59 kb

  • 資料說明：

    Dual Schottky Barrier Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBD352WT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型：

    肖特基 - 1 對串聯(lián)

  • 電壓 - 峰值反向（最大值）：

    7V

  • 不同?Vr、F 時電容：

    1pF @ 0V，1MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SC-70-3（SOT323）

  • 描述：

    RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    司先生

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82785677

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503

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