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MMBD354LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBD354LT1G
廠商型號(hào)

MMBD354LT1G

參數(shù)屬性

MMBD354LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

功能描述

Dual Hot Carrier Mixer Diodes
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

93.76 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 22:30:00

MMBD354LT1G規(guī)格書詳情

MMBD354LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBD354LT1G二極管 - 射頻射頻二極管是一種雙端子半導(dǎo)體器件,只允許一個(gè)方向通過(guò)電流,而限制反方向的電流。該系列器件用于射頻匹配電路以進(jìn)行電子調(diào)諧。二極管類型包括 PIN 型、肖特基型和標(biāo)準(zhǔn)型,反向電壓范圍為 1 至 15,000 V,電流范圍為 10 mA 至 20A。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBD354LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    肖特基 - 1 對(duì)共陰極

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
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SOT-23
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