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MMBD452LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBD452LT1G
廠商型號(hào)

MMBD452LT1G

參數(shù)屬性

MMBD452LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

功能描述

Dual Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

124.67 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-23 15:14:00

MMBD452LT1G規(guī)格書詳情

MMBD452LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBD452LT1G二極管 - 射頻射頻二極管是一種雙端子半導(dǎo)體器件,只允許一個(gè)方向通過電流,而限制反方向的電流。該系列器件用于射頻匹配電路以進(jìn)行電子調(diào)諧。二極管類型包括 PIN 型、肖特基型和標(biāo)準(zhǔn)型,反向電壓范圍為 1 至 15,000 V,電流范圍為 10 mA 至 20A。

These devices are designed primarily for high?efficiency UHF and VHF detector applications. They are readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications. They are supplied in an inexpensive plastic package for low?cost, high?volume consumer and industrial/commercial requirements.

Features

? Extremely Low Minority Carrier Lifetime

? Very Low Capacitance

? Low Reverse Leakage

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBD452LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 二極管類型:

    肖特基 - 1 對串聯(lián)

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    30V

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    1.5pF @ 15V,1MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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