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MMBF4392LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

MMBF4392LT1G
廠商型號(hào)

MMBF4392LT1G

參數(shù)屬性

MMBF4392LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

功能描述

JFET Switching Transistors
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

文件大小

134.65 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 11:11:00

MMBF4392LT1G規(guī)格書詳情

MMBF4392LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBF4392LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBF4392LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):

    14pF @ 15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
23+
25900
新到現(xiàn)貨,只有原裝
詢價(jià)
MOT
2315+
SOT23
3986
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
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ON
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45000
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ON/安森美
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ON/安森美
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SOT-23
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)