MMBFJ309LT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠料號：MMBFJ309LT1G品牌：ON/安森美

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MMBFJ309LT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBFJ309LT1G晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號：

  MMBFJ309LT1G

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡稱：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  ON Semiconductor

• 中文名稱：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  5 頁

• 文件大?。?/span>

  150.09 kb

• 資料說明：

  JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor