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MMBFJ309LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MMBFJ309LT1G |
| 參數(shù)屬性 | MMBFJ309LT1G 封裝/外殼為T(mén)O-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3 |
| 功能描述 | JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
150.09 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-10 14:11:00 |
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MMBFJ309LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBFJ309LT1G晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
MMBFJ309LT1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
N 通道 JFET
- 額定電流（安培）：
30mA
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23-3 |
51000 |
原裝 實(shí)單請(qǐng)給TP |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
22+ |
NA |
8000 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT-23 |
10000 |
只做原裝 假一賠萬(wàn) |
詢價(jià) | ||
ON |
11+ |
12000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
ON |
24+ |
SOT23 |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
2023+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
4550 |
全新原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
公司只做原裝,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
