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MMBT123S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT123S
廠商型號

MMBT123S
參數(shù)屬性

MMBT123S 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
功能描述

1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

55.37 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-28 22:58:00
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MMBT123S規(guī)格書詳情

Features

? Epitaxial Planar Die Construction

? Ideal for Medium Power Amplification and Switching

? Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT123S-7-F

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 30mA，300mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 100mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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