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MMBT2132T3G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT2132T3G
廠商型號

MMBT2132T3G

參數屬性

MMBT2132T3G 封裝/外殼為SC-74,SOT-457;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 30V 0.7A SC74

功能描述

General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor
TRANS NPN 30V 0.7A SC74

封裝外殼

SC-74,SOT-457

文件大小

59.97 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-13 22:50:00

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MMBT2132T3G規(guī)格書詳情

MMBT2132T3G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的MMBT2132T3G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MMBT2132T3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 70mA,700mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 100mA,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-74,SOT-457

  • 供應商器件封裝:

    SC-74

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.7A SC74

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
23+
NA
3500
全新原裝假一賠十
詢價
FAIACHI
2020+
SOT23
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
GSM
20+
標準
15800
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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23+
原包裝原封□□
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22+
NA
30
原裝正品支持實單
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ON
23+
SOT23
8653
全新原裝優(yōu)勢
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ON
24+
12
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
詢價
FAIRCHILD/仙童
21+
SOT-23
30000
優(yōu)勢供應 實單必成 可13點增值稅
詢價