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MMBT2222AM	文件：290.76 Kbytes Page：2 Pages	0.5A, 75V NPN Plastic Encapsulated Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222AM	文件：3.96351 Mbytes Page：4 Pages	SOT-723 Plastic-Encapsulate Transistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT2222AM3T5G	文件：174.51 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Transistor NPNGeneralPurposeTransistor TheMMBT2222AM3T5Gdeviceisaspin?offofourpopularSOT?23three?leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT?723surfacemountpackage.Thisdeviceisidealforlow?powersurfacemountapplicationswhereboard	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2222AM3T5G	文件：126.45 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2222AM3T5G_12	文件：126.45 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2222AM-C	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222AM3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：SOT-723 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 40V 0.6A SOT723	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2222ARF	文件：214.29 Kbytes Page：3 Pages	300mW,NPNSmallSignalTransistor FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
MMBT2222ARFG	文件：214.29 Kbytes Page：3 Pages	300mW,NPNSmallSignalTransistor FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
MMBT2222AS	文件：1.12483 Mbytes Page：9 Pages	40VNPNSmallSignalTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
MMBT2222AT	文件：57.97 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●BVCEO>40V ●IC=600mACollectorCurrent ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ComplementaryPNPType:MMBT2907AT ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●Qualifi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT2222AT	文件：99.18 Kbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateTransistorsNPNSilicon Plastic-EncapsulateTransistors NPNSilicon P/bLead-(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2222AT	文件：172.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT2222AT	文件：113.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Capableof150mWattsofPowerDissipation ?OperatingandStorageJunctionTemperatures-55?to150? ?CollectorCurrent:0.6A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT2222AT	文件：182.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907AT) ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT2222AT	文件：227.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT2222AT	文件：815.63 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors FEATURES ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907FW) ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222AT	文件：142.45 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?Generalpurposeamplifiertransistor. ?Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. ?Generalpurposeswitching&amplificationapplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT2222AT	文件：184.63 Kbytes Page：4 Pages	NPNSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT2907AT). ●CollectorCurrentCapabilityIc=600mA. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT2222AT	文件：475.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT2907AT	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MMBT2222AM
功能描述：
兩極晶體管 - BJT SS SOT723 GP TRANSTR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市誠(chéng)利順電子科技有限公司	MMBT2222AM	長(zhǎng)電	22+	SOT723	16000	十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，一手貨源，原裝正品可零售！	詢價(jià)
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	MMBT2222AM	CJ/長(zhǎng)電	22+	SOT723	600000	航宇科工半導(dǎo)體-央企優(yōu)秀戰(zhàn)略合作伙伴!	詢價(jià)
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更多MMBT2222AM供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-4 9:38:00

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