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MMBT2369A

NPNSiliconSwitchingTransistor

NPNSiliconSwitchingTransistor

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

MMBT2369A

NPNGeneralPurposeAmplifier

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBT2369A

SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors

SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingta

Diotec

Diotec Semiconductor

MMBT2369A

NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR

VOLTAGE15VoltsPOWER225mWatts FEATURES ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=15V ?CollectorcurrentIC=200mA ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA ?Case:SOT-23,Plastic ?Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

MMBT2369A

NPNSwitchingTransistor

NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBT2369A

NPNSwitchingTransistor

NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBT2369A

NPNGeneralPurposeAmplifier

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBT2369A

NPNGeneralPurposeAmplifier

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MMBT2369AL

SwitchingTransistors

SwitchingTransistors NPNSilicon Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT2369-G

GENERALPURPOSETRANSISTORS

Features -Powerdissipation PC=0.3W

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MMBT2369_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN HIGH SPD SW

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NS
24+
11720
詢價
FSC
2017+
SOT-23
28562
只做原裝正品假一賠十!
 詢價
FAIRCHILD
24+
原封裝
402196
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
BILIN
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
ONSemiconductor
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
新
12339
全新原裝 貨期兩周
 詢價
FSC
22+23+
SOT-23
14904
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
FSC/ON
23+
原包裝原封□□
4917
原裝進口特價供應(yīng)QQ1304306553更多詳細咨詢庫存
 詢價
ON/FAIRCHILD
23+
SOT-23
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
FAI
21+
SOT23
12588
全新原裝深圳現(xiàn)貨
 詢價
更多MMBT2369_Q供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 15:30:00

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